Trench MOSFET提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過(guò)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝，實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））值，保證了行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。

高壓MOSFET產(chǎn)品，具有強(qiáng)短路、耐沖擊的特點(diǎn)，還可以提供低導(dǎo)通Ron，集成ESD結(jié)構(gòu)防靜電等產(chǎn)品，以滿(mǎn)足客戶(hù)的各種需求。

SJ MOSFET器件提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過(guò)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝，實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））值，Multi-epi技術(shù)賦予器件優(yōu)良的魯棒特性，使器件的使用及電路的設(shè)計(jì)難度大大降低

SGT MOSFET器件提供低導(dǎo)通、快速、ESD保護(hù)、Rg集成等全系列完整產(chǎn)品線。通過(guò)優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、先進(jìn)的制造工藝和可靠的封裝，實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化以及優(yōu)秀的FOM（品質(zhì)因子（Qg*Rdson））值，使應(yīng)用領(lǐng)域范圍大大提高。

IGBT產(chǎn)品， 基于溝槽場(chǎng)截止型（Trench Field Stop）技術(shù)的高效系列，結(jié)合了超薄片工藝制程（Ultra Thin Wafer Process）以及局部壽命控制等技術(shù)，顯著改善了動(dòng)靜態(tài)性能折中，大幅提高了器件的功率密度，使器件可耐工作溫度更高，轉(zhuǎn)換效率更大，使用壽命更長(zhǎng)。